系列 | - |
包裝 | 剪切帶（CT） |
零件狀態(tài) | 有效 |
FET 類型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動 |
漏源極電壓（Vdss） | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） | 170mA（Ta） |
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值） | 18 歐姆 @ 80mA，10V |
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） | 2.6V @ 100μA |
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg） | 0.9nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss） | 14pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 600mW |
工作溫度 | 150°C（TJ） |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
供應(yīng)商器件封裝 | 3-CPH |
標準包裝 | 1 |
其它名稱 | ERT-D |
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